在金融危機(jī)的肆虐下，2009年對(duì)于眾多科技廠家而言沒有留下什么美好的回憶，能在這場風(fēng)暴中平安度過已是不易，只是，2009年行將過去，展望2010，什么樣的科技才有發(fā)展?jié)摿δ?？最近，美國通過網(wǎng)絡(luò)調(diào)查，選出了十項(xiàng)值得特別注意的新興技術(shù)。
　　雖然軟體看來也將在2010年扮演要角，不過以下選出的十大潛力新興技術(shù)主要是硬體方面的，且特別看重其在省電、降低二氧化碳排放量、精簡材料等方面的條件(這些條件也可說是推動(dòng)那些技術(shù)的主要力量)；至於那些已經(jīng)是主流話題、或是還需要長期發(fā)展的技術(shù)項(xiàng)目則未考慮在內(nèi)。
　　當(dāng)然，這十項(xiàng)由編輯們選出的技術(shù)(排列順序并無特別規(guī)則)，也許不是百分之百準(zhǔn)確成為2010年的明星，但它們對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的影響力還是值得關(guān)注。
　　1.對(duì)電子裝置的生物回饋(biofeedback)與思想控制
　　有不少企業(yè)或研究機(jī)構(gòu)都展示過如何利用裝置在頭盔或是耳機(jī)上的感測器來擷取腦波，并用以控制電腦系統(tǒng)。這類技術(shù)主要應(yīng)用在醫(yī)療--讓重度身障人士能進(jìn)行溝通或是控制環(huán)境--以及軍事領(lǐng)域，也越來越常用以做為消費(fèi)性電子裝置與電腦游戲的控制介面。聽起來也許有點(diǎn)像科幻小說，但藉由思想控制(thought-control)的人機(jī)介面已經(jīng)存在了，例如一家總部位於美國舊金山的公司EmotivSystems，就正在推廣這種技術(shù)。
　　2.印刷電子
　　能快速印刷出多個(gè)導(dǎo)體/絕緣體或半導(dǎo)體層以形成電路的技術(shù)，可望催生比目前采用傳統(tǒng)制程生產(chǎn)之IC成本更低晶片。通常印刷半導(dǎo)體意味著使用性能與硅大不相同的有機(jī)材料，甚至所生產(chǎn)之元件尺寸也能超越硅材料的極限。此外還有許多應(yīng)用獲益於低價(jià)、軟性基板的性能；例如RFID標(biāo)簽，還有顯示器的主動(dòng)矩陣背板(active-matrixbackplane)。
　　有一家美國廠商Kovio則是專精印刷式硅電子元件技術(shù)，該公司自2001年成立以來就深耕印刷電子市場，并在2009年7月宣布獲得2，000萬美元資金，將把這筆錢用於將該公司的RF條碼推向商業(yè)化量產(chǎn)。
　　3.塑膠記憶體
　　塑膠記憶體也可能適合以印刷制程來生產(chǎn)，并像上面的印刷電子元件一樣，能比硅材料有更好的性能表現(xiàn)、成本也更低。挪威業(yè)者ThinFilmElectronics就是這種技術(shù)的專家之一，該公司多年來致力將該技術(shù)商業(yè)化，并曾與大廠英特爾(Intel)合作過一段時(shí)間。
　　塑膠記憶體是以具鐵電(ferroelectric)特性的聚合物Polythiophenes為基礎(chǔ)，可重覆讀寫、非揮發(fā)性；根據(jù)ThinFilmElectronics介紹，其資料保存期限可超過十年，讀寫周期超過百萬次。在2009年9月，一家德國公司PolyIC還使用塑膠記憶體技術(shù)，以聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(PolyethyleneTerephthalate，PET)做為基板，用卷軸是制程生產(chǎn)出20bit的塑膠記憶體。
　　4.無光罩微影
　　大多數(shù)人可能會(huì)問，超紫外光微影(extremeultravioletlithography，EUV)究竟何時(shí)可取代浸潤式微影技術(shù)?但現(xiàn)在有匹大黑馬跳出來--即采用電子束(electronbeam)技術(shù)為基礎(chǔ)的無光罩微影(Masklesslithography)。
　　荷蘭業(yè)者M(jìn)apperLithography則是該技術(shù)的主要推手。2009年7月，Mapper提供了12寸晶圓用電子束微影平臺(tái)給法國的研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti，讓晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)在該處進(jìn)行相關(guān)制程研發(fā)。
　　5.平行化處理技術(shù)
　　這種技術(shù)已經(jīng)以雙核心/四核心PC處理器的形式存在，還有嵌入式領(lǐng)域應(yīng)用的多核心異質(zhì)處理器(multicoreheterogeneousprocessors)；不過到目前為止，對(duì)於多核心處理器如何編程，以及如何充分發(fā)揮其運(yùn)算能力與功率效益，業(yè)界還是少有形式上的理解。
　　自從多核心處理器問世以來，上述問題一直是困擾IT領(lǐng)域與整個(gè)產(chǎn)業(yè)界，而且我們距離解決方案還有好一段距離；目前OpenCL、Cuba等計(jì)畫都是試圖有所突破的行動(dòng)，在2010年可望看到更多的進(jìn)展。
　　6.能量采集
　　能量采集(energyharvesting)并不是一個(gè)新題目，例如自動(dòng)表(motion-poweredwristwatch)就已經(jīng)存在多年；但當(dāng)電路的功率消耗量從毫瓦(milliwatts)縮小到微瓦(microwatts，千分之一毫瓦)等級(jí)，有趣的事情就發(fā)生了…啟動(dòng)電路可能再也不需要電線或是電池，而可以透過各種環(huán)境現(xiàn)象，而這種技術(shù)可能會(huì)帶來深遠(yuǎn)的影響。
　　最初的振動(dòng)供電(vibration-powered)無線感測器應(yīng)用之一，是裝置在汽車機(jī)械中；這種無電池感測器應(yīng)用的主要考量，就是免除了維護(hù)的需要。有家德國公司EnOcean則專長於無電池?zé)o線開關(guān)技術(shù)，可應(yīng)用在住宅自動(dòng)化領(lǐng)域；該公司并正在推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化工作。
　　手機(jī)大廠Nokia也正在觀察手機(jī)用能量采集技術(shù)的可能性，不過目前還沒有任何原型產(chǎn)品；而到2010年，所有的行動(dòng)設(shè)備業(yè)者將不得不關(guān)注能量采集技術(shù)，或者是至少得好好思考一下如何延長產(chǎn)品的電池續(xù)航力。
　　7.生物電子與人腦研究
　　在2010年，研究階段的進(jìn)展似乎多過於開發(fā)階段，但生物學(xué)與電子學(xué)的結(jié)合技術(shù)，已經(jīng)成熟到可以應(yīng)用。我們已經(jīng)對(duì)那些植入動(dòng)物體內(nèi)的硬體元件習(xí)以為常，像是寵物晶片等注射到動(dòng)物皮下的電子標(biāo)簽，或是人類應(yīng)用的心律調(diào)整器；而想要在提升醫(yī)療照護(hù)品質(zhì)同時(shí)，又能降低相關(guān)費(fèi)用的需求也是越來越急迫。
　　產(chǎn)業(yè)界在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、有機(jī)電子元件制造等方面技術(shù)的進(jìn)展，改善了活體組織與電子電路的整合程度。實(shí)驗(yàn)室單晶片(Lab-on-a-chip)就是相關(guān)技術(shù)的展現(xiàn)之一，IBM最近也發(fā)表了該類晶片樣品；未來甚至也有可能在可電子尋址的基板上培育生物細(xì)胞。實(shí)現(xiàn)生物體外診斷的可能性已經(jīng)很確定。
　　這類技術(shù)的主要目標(biāo)，是探索個(gè)別細(xì)胞的電氣特性資訊與它們對(duì)藥物的反應(yīng)，以進(jìn)行心臟與神經(jīng)方面的疾病，如阿茲海默癥(老人失智癥)、帕金森氏癥等方面的研究。所以短期之內(nèi)，我們可預(yù)期將有更多生物電子學(xué)技術(shù)躍上臺(tái)面。
　　8.電阻式記憶體/憶阻器
　　業(yè)界對(duì)通用記憶體的追尋仍在持續(xù)；這種記憶體需要像DRAM那樣簡單，甚至最好能像是那些電容器。
　　此外理想的記憶體要能在斷電情況下仍能保存資料數(shù)年，使用循環(huán)周期至少要達(dá)百萬次等級(jí)；這類記憶體最好使用傳統(tǒng)的制造方法就能輕松生產(chǎn)，使用的材料也別超出傳統(tǒng)晶圓廠可負(fù)擔(dān)的范圍…
　　但遺憾的是我們迄今尚未發(fā)現(xiàn)夢(mèng)幻記憶體…是這樣嗎?
　　2009年，在導(dǎo)電金屬氧化物(conductivemetaloxide，CMOx)技術(shù)領(lǐng)域默默耕耘七年的UnitySemiconductor終於熬出頭；其他也有記憶體相關(guān)技術(shù)進(jìn)展的新興業(yè)者還包括4DS、QsSemiconductor與AdestoTechnologies。
　　我們也看到許多較大規(guī)模的IDM廠積極進(jìn)軍電阻式記憶體(RRAM)，還有憶阻器(memristor)技術(shù)的發(fā)展。相關(guān)資訊可參考:全新憶阻器改寫電路理論RRAM可望成為殺手級(jí)應(yīng)用?
　　9.直通硅晶穿孔
　　在先進(jìn)硅晶片表面最上方的導(dǎo)線堆疊(interconnectstack)深度，可以達(dá)到很深且非常精細(xì)的程度；而我們認(rèn)為這樣的趨勢(shì)將導(dǎo)致晶片前段(front-end)制程分成不同階段，甚至可能分別再不同的晶圓廠進(jìn)行。
　　這種將多層裸晶堆疊在單一封裝內(nèi)部的需求，需要更細(xì)致的導(dǎo)線；而直通硅晶穿孔技術(shù)(through-silicon-via，TSV)能完全穿透硅晶圓或裸晶，是制造3D晶片的重要關(guān)鍵。Austriamicrosystems公司已在2009年五月開始生產(chǎn)TSV元件，鎖定供應(yīng)將CMOS晶片與感測器元件等進(jìn)行3D整合的客戶；類似的元件在2010年將會(huì)有更多。
　　10.五花八門的電池技術(shù)
　　已經(jīng)非常成熟的電池技術(shù)無法像是依循著摩爾定律(Moore''''''''slaw)的IC那樣，繼續(xù)在能量密度上有所進(jìn)展；但無可諱言，雖然我們希望電池能儲(chǔ)存更多的電能，那也有可能帶來其他的安全性風(fēng)險(xiǎn)。
　　各種可攜式電子設(shè)備都需要電池來供電，訴求環(huán)保的電動(dòng)車若是少了電池也不再有未來；最近在鎳氫、鋰電池化學(xué)成分的研究上有一些最新發(fā)展，有家ReVolt公司則開發(fā)出可充電的鋅空氣(zinc-air)電池。預(yù)期在2010年將會(huì)誕生更多具備智慧功能的新穎電池技術(shù)。
　　以上就是美國人所列出的2010年十大最具潛力的新興技術(shù)，當(dāng)然，最具潛力的能否真的轉(zhuǎn)化為能力，2010年12月的時(shí)候，我們將會(huì)看到答案。

上一篇：LED背光產(chǎn)品發(fā)展前景良好
下一篇群創(chuàng)、奇美電合并完成日期可望提前至明年3月份
溫馨提示：
凡在本公司進(jìn)行電路板克隆業(yè)務(wù)的客戶，必須有合法的PCB設(shè)計(jì)版權(quán)來源聲明，以保護(hù)原創(chuàng)PCB設(shè)計(jì)版權(quán)所有者的合法權(quán)益；