大部分?jǐn)?shù)字IC生產(chǎn)商都至少能生產(chǎn)某一系列輻射較低的器件，同時也能生產(chǎn)幾種抗ESD的I/O芯片，有些廠商供應(yīng)EMC性能良好的VLSI（有些EMC微處理器比普通產(chǎn)品的輻射低40dB）；大多數(shù)數(shù)字電路采用方波信號同步，這將產(chǎn)生高次諧波分量，如圖1示。時鐘速率越高，邊沿越陡，頻率和諧波的發(fā)射能力也越高。 因此，在滿足產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)的前提下，盡量選擇低速時鐘。在HC能用時絕不要使用AC，CMOS4000能行就不要用HC。要選擇集成度高并有EMC特性的集成電路，比如：

    * 電源及地的引腳較近
    * 多個電源及地線引腳
    * 輸出電壓波動性小
    * 可控開關(guān)速率
    * 與傳輸線匹配的I/O電路
    * 差動信號傳輸
    * 地線反射較低
    * 對ESD及其他干擾現(xiàn)象的抗擾性
    * 輸入電容小
    * 輸出級驅(qū)動能力不超過實際應(yīng)用的要求
    * 電源瞬態(tài)電流低（有時也稱穿透電流）

　這些參數(shù)的最大、最小值應(yīng)由其生產(chǎn)商一一指明。由不同廠家生產(chǎn)的具有相同型號及指標(biāo)的器件可能有顯著不同的EMC特性，這一點對于確保陸續(xù)生產(chǎn)的產(chǎn)品具有穩(wěn)定的電磁兼容符合性是很重要的。
　高技術(shù)集成電路的生產(chǎn)商可以提供詳盡的EMC設(shè)計說明，比如Intel的奔騰MMX芯片就是這樣。設(shè)計人員要了解這些并嚴(yán)格按要求去做。詳盡的EMC設(shè)計建議表明：生產(chǎn)商關(guān)心的是用戶的真正需求，這在選擇器件時是必須考慮的因素。在早期設(shè)計階段，如果IC的EMC特性不清楚，可以通過一簡單功能電路（至少時鐘電路要工作）進行各種EMC測試，同時要盡量在高速數(shù)據(jù)傳輸狀態(tài)完成操作。發(fā)射測試可方便地在一標(biāo)準(zhǔn)測試臺上進行，將近場磁場探頭連接到頻譜分析儀（或?qū)拵静ㄆ鳎┥希行┢骷黠@地比其他一些器件噪聲小得多，測試抗擾度時可采用同樣的探頭，并連到信號發(fā)生器的輸出端（連續(xù)射頻或瞬態(tài)）。但如果探頭是儀器專配的（不只是簡單的短路環(huán)或?qū)Ь€），首先要檢查其功率承受能力是否滿足要求。測試時近場探頭需貼近器件或PCB板，為了定位“關(guān)鍵探測點”和最大化探頭方向 ， 應(yīng)首先在整個區(qū)域進行水平及垂直掃描（使探頭在各個方向相互垂直），然后在信號最強的區(qū)域集中進行掃描。

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