PCB 的圖形蝕刻大致分為堿性蝕刻及酸性蝕刻兩種，由于外層傳統(tǒng)的堿性蝕刻需要電鍍鉛錫、流程比較復雜等原因，酸性蝕刻逐漸取代堿性蝕刻。
對比國外環(huán)保要求較高，酸性蝕刻多采用雙氧水體系，而國內(nèi)的酸性蝕刻傾向于安全性比較高的氯酸鈉，鹽酸體系。
但采用以上體系，在比例等控制不好時，偶爾會產(chǎn)生氯氣等物質(zhì)，容易造成環(huán)保污染及藥水浪費等，因此通過對舊有設(shè)備進行新改造，有助于鞏固清潔生產(chǎn)的一些成果，推進節(jié)能，降耗，減排，增效的思想。
二．現(xiàn)有酸性蝕刻機及管道系統(tǒng)分析
1.蝕刻的化學反應原理
直接蝕刻銅的為氯化銅，過程生成的氯化亞銅被氯酸鈉氧化為氯化銅，恢復其氧化性能。過程中氯酸鈉與HCL 會發(fā)生副反應生產(chǎn)氯氣。特別是氯酸鈉濃度偏高時，更加明顯。
2.現(xiàn)有酸性蝕刻機簡介
現(xiàn)有的酸性蝕刻由于年限比較久遠，最新的改造也有好幾年，當時對于環(huán)保節(jié)能等的概念引入并無現(xiàn)有強烈，對此我們比較深入的剖開酸性蝕刻機的結(jié)構(gòu)。
從結(jié)構(gòu)看，現(xiàn)有的蝕刻機與近年最新推出的蝕刻機器比較，從蝕刻單元來看，多數(shù)新的蝕刻機都有預蝕，主蝕，補蝕等功能單元，主蝕壓力獨立控制等。傳送滾輪規(guī)避噴嘴藥水直射方向等。機器管道密封性能良好，控制系統(tǒng)比較先進，例如裝備著名的藥水系統(tǒng)控制商AQUA 公司的控制器，能夠通過預投藥及先進的PID 比例-積分-微分控制器，比較穩(wěn)定的控制藥水的濃度， 比重等各個因素，預投料功能即可與GENESIS 系統(tǒng)直接關(guān)聯(lián)也可用類似與制作電流指示一樣輸入殘銅率，有效減少多投等問題，同時提高藥水利用率及穩(wěn)定性。當然設(shè)備異常昂貴，單控制器就要8-9 萬USD, 設(shè)備投資成本太高。我們著力于通過自身的改造以達到我們節(jié)能減排清潔生產(chǎn)的目的。從補償系統(tǒng)，管道系統(tǒng)，溢流系統(tǒng)等做比較深入分析。
3.缸體結(jié)構(gòu)剖析
解讀酸性蝕刻缸是一件比較復雜的事情，其中東西比較多，有點辯證唯物主義的意味，主要是因為這三個缸的關(guān)系即有保持聯(lián)通又不能流量過大，核心在于保持一個濃度差及變化量，酸性蝕刻機蝕刻線分為三個缸，三個缸在底部有三個連通口，藥水可以在液位不平衡時自由流動，如下圖灰色部分F3-2, F2-1。
4.大致的具體結(jié)構(gòu)及生產(chǎn)過程如下：
板件依次進入第一，二，三缸后進入補蝕段， 生產(chǎn)過程在第一個缸到第二個缸之間大量反應，后經(jīng)過過濾循環(huán)后回到第二，三個缸，三個缸的流動按照目前的三級水洗的原理進行逐級溢流到第一個缸。藥水在這一過程不斷添加，在充分混合一二個缸充分混合補充該區(qū)域大量消耗。
過濾泵開啟后從第1 個缸抽取藥液，之后回流到第2，3 缸,使第3 缸通過下部的連接口流到第1 缸中去，目前僅開回流到第三缸的閥門，即
第一個缸的液位平衡，主要是從二缸過來的F2-1 和氧化劑補充B1。
連通口１的流量F2-1 + B1= 過濾F 進-----------------------------（1）
第二個缸的液位平衡，主要是從三缸過來的F3-2 ，鹽酸補充，過濾出口，減去溢流：
連通口2 的流量F3-2 + 鹽酸補充H+ 過濾出口Ｆ出1- 溢流Ｌ= F2-1-----------------（2）
第三個缸的液位平衡，
1) 過濾出口Ｆ出2+ 氧化劑補充Ｂ2 = F3-2--------------------------------------（3）
溢流Ｌ的量等于補充的量：
溢流Ｌ=氧化劑補充B2 + 氧化劑補充B1+鹽酸補充H--------------------------------（4）
要實現(xiàn)補償蝕刻的回流不進入第一二個缸體，從而使F2-1=F 進流動不減弱，回流正常，需要關(guān)閉一二缸的閥門。
5.其他蝕刻線分析參考
某公司最新生產(chǎn)線的設(shè)計特點為：
補充情況為：二廠蝕刻線三種補充液加上蝕刻液一起混合入真空混合器，在泵出來進入第一二個缸的前部。這樣也是避開線路形成期波動的問題，減銅線為氧化劑，HCL 獨立添加在主蝕刻缸前部。循環(huán)系統(tǒng)為：第一個缸流向第二個缸再經(jīng)過混合及過濾。后進入第一個缸。溢流系統(tǒng)在：兩者都是主蝕刻缸溢流在前部。
三. 結(jié)構(gòu)分析對應的可嘗試改造的方向：
1．目前的過濾系統(tǒng)是從第一缸抽出后過濾雜物后進入第二三個缸，主要在于第一個缸反應最激烈，雜物最多（可參考下圖四），所以進行過濾。過濾后進入后面的第二，三個缸, 使后面的藥水，逐漸往前流，這樣后面的缸，始終是第三缸比第二缸清潔，第二缸又比第一缸清潔，這樣就能有效地減少銅點，短路等等問題。
嘗試改造：強化液位作用，保證類似三級水洗作用，目前過濾后進入第二三個缸，后續(xù)可以結(jié)合補充系統(tǒng)的設(shè)計試驗全部進入第三個缸中。這樣可以有效提高第三個缸的流動F3-2。
2．目前的溢流系統(tǒng)在第二缸，這樣的主要是離鹽酸補充Ｈ很近，同時部分Ｆ出１新過濾的藥水進入二缸的部分被排掉也很浪費。
若改在第三個缸過濾后的藥水整體比較干凈，溢流掉會比較可惜，也起不到廢液排掉減少雜質(zhì)的作用。
從上圖看，第一個缸積累的雜物最多，主要膠狀物質(zhì)，該物質(zhì)對質(zhì)量影響很大，超過一定的量時，對于銅點，短路不良上升直接相關(guān)。
表一，各缸銅離子濃度的情況：
第一缸 第二缸 第三缸
?。茫?+（g／l） 141 140 135
銅離子濃度對比其他兩個缸累積多，對于比重穩(wěn)定性有直接關(guān)系， 對于藥缸我們需要保持蝕刻掉的銅與溢出的銅平衡，才能做穩(wěn)定控制線寬等。
嘗試改造：根據(jù)溢流的原理和實際的反應原理，第一個缸的藥水，反應有效物質(zhì)最少，生產(chǎn)物多，雜物等在蝕刻第一個缸溢出最好，比重穩(wěn)定性也好，溢出位置位于最前端。
表三，各補充管道設(shè)計位置
HCl 鹽酸 氧化劑
計劃位置 Ｆ３－2 連通附近 Ｆ出2／或第一缸噴淋后回流
附近
3．目前的藥水補充系統(tǒng)是鹽酸補充進入第二個缸中，氧化劑進入第一，三個缸中，有意分開補充的原因在于兩種藥水會反應，耗損掉生成氯氣等。藥水補充體系添加落在三個缸中，鹽酸落在第二個缸，一個氧化劑落在第一個缸，這樣的補充符合：
第一缸反應負載〉第二缸反應負載〉第三缸反應負載
同時第三缸主要是形成線路期，所以不太適合于加入大量的新鮮的ＨＣＬ補充藥液，這樣補充前后造成的線路波動可能很大。
嘗試改造：補充管道位置進行細化。保證管口距離50cm 以上的原則，根據(jù)以下比重：
表二，各補充物質(zhì)比重
HCl 補充劑 氧化劑補充劑 蝕刻液
比重（g／ml） 1.10-1.15 1.15-1.21 / 26 1.285
制定補充的深淺位置，以提高有效循環(huán)。鹽酸，深埋入水面。氧化劑半埋在水下?？紤]到可能造成的虹吸現(xiàn)象，埋入水面管道都采用單向閥。
另根據(jù)出口閥門，將補充管道安置：
如過濾出口邊緣，連通口附近。這些位置由本身動力促使其循環(huán)。
最終補充計劃在：
圖十，改造后的設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖
四. 改造后的效果大致情況：
1）藥水降低耗用：埋入缸底，減少HCl 的揮發(fā)。
從8 月開始改進后看，各月的耗用曲線向下，整體耗用減少，改造前后的平均值由1.97 Kg/m3 減少到1.85 Kg/m3。即每平米線路板減少0.12Kg 鹽酸。
2）提升控制穩(wěn)定性。對應控制穩(wěn)定性方面主要是線寬的波動的影響等指標，目前大致的情況如下：
每月阻抗不良的批次都比較穩(wěn)定控制。
3）提升質(zhì)量：提高缸的潔凈程度，減少銅點等。
從改善以來的銅點短路情況看，同時加強日?？刂坪?，整體銅點短路情況比較良好，有逐月下降的趨勢。
4）環(huán)保效果
經(jīng)過改造后減少了異常出現(xiàn)的氯氣產(chǎn)生的嚴重程度，結(jié)合其他相關(guān)控制措施，目前氯氣得到比較有效控制，整體氣味發(fā)生率相比以前有比較明顯減少。
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